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标题
Patterning Infrastructure Development for Advanced EUV Lithography: Continuing Dimensional Scaling Through EUV Lithography to Support Moore’s Law
先进EUV光刻的图案化基础设施开发：通过EUV光刻继续尺寸缩放以支持摩尔定律
相关领域
极紫外光刻 平版印刷术 计算光刻 下一代光刻 多重图案 材料科学 晋升（国际象棋） 工程物理 物理 纳米技术 政治学 电子束光刻 光电子学 抵抗 法学 图层（电子） 政治
网址
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10035030/10480867/104809...
DOI
10.1109/med.2023.3336276 doi
其它 期刊：IEEE Electron Devices Magazine
作者：Kurt Ronse
出版日期：2024-03-28
求助人
hero_ljw 在 2024-12-20 20:16:38 发布自中国，悬赏 10 积分
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