A New Grain Boundary Model for Drift-Diffusion Device Simulations in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors

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标题	A New Grain Boundary Model for Drift-Diffusion Device Simulations in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors 一种用于多晶硅薄膜晶体管漂移扩散器件模拟的新晶界模型相关领域薄膜晶体管晶界多晶硅材料科学阈下传导硅阈值电压晶体管扩散晶界扩散系数高斯分布凝聚态物理微晶光电子学电压电气工程复合材料物理冶金热力学微观结构图层（电子）工程类量子力学
网址	https://doi.org/10.1143/jjap.42.l634
DOI	10.1143/jjap.42.l634 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Yoshinori Kitahara; Shuichi Toriyama; Nobuyuki Sano 出版日期：2003-06-15
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