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Improvement of analogue switching characteristics of MoS2 memristors through plasma treatment
等离子体处理改善MoS2忆阻器的模拟开关特性
相关领域
记忆电阻器
等离子体
材料科学
光电子学
纳米技术
电气工程
物理
工程类
核物理学
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其它 |
期刊:Journal of Physics D Applied Physics 作者:Da Li; Byunghoon Ryu; Jeong Seop Yoon; Zhongrui Li; Xiaogan Liang 出版日期:2020-01-21 |
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