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 Bismuth Vacancy-Induced Enhancement of Luminescence Intensity and Irradiation Resistance for Bi4Ge3O12 铋空位对Bi4Ge3O12发光强度和抗辐照性能的影响
相关领域
发光
闪烁体
闪烁
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铋
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冶金
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期刊：Journal of Physical Chemistry Letters 作者：Mingxue Deng; Yixian Tang; Junfeng Chen; Yanfeng Tang; Jin Wang; et al 出版日期：2023-04-14 |
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