Interfacial thermal resistance between mechanically exfoliated nm-thick MoS2 and silicon from −60 °C to 50 °C based on ns-ET Raman technique

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标题	Interfacial thermal resistance between mechanically exfoliated nm-thick MoS2 and silicon from −60 °C to 50 °C based on ns-ET Raman technique 基于ns-ET拉曼技术的60°C至50°C机械剥离纳米厚MoS2与硅的界面热阻相关领域材料科学拉曼光谱硅复合材料热的热阻光电子学光学热力学物理
网址	https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2024.125703
DOI	10.1016/j.ijheatmasstransfer.2024.125703 doi
其它	期刊：International Journal of Heat and Mass Transfer/International journal of heat and mass transfer 作者：Cichun Li; Jianhong Peng; Jun Ou; Tianyu Wang; Yangsu Xie 出版日期：2024-09-01
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