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 Low-leakage In 0.53 Ga 0.47 As p-i-n photodetector fabricated on GaAs substrate with linearly graded metamorphic In x Ga 1-x P buffer 线性渐变In x Ga 1-x P缓冲液GaAs衬底上0.53 Ga 0.47 As p-i-n低泄漏光电探测器
相关领域
材料科学
砷化镓
光电二极管
光电探测器
光电子学
暗电流
基质（水族馆）
光学
物理
海洋学
地质学
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期刊：SPIE Proceedings 作者：Chi-Kuan Lin; Hao-Chung Kuo; Yu-Sheng Liao; Gong-Ru Lin 出版日期：2005-03-01 |
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