Utility of Shockley–Read–Hall analysis to extract defect properties from semiconductor minority carrier lifetime data

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标题	Utility of Shockley–Read–Hall analysis to extract defect properties from semiconductor minority carrier lifetime data 相关领域载流子寿命霍尔效应兴奋剂半导体超晶格凝聚态物理俄歇效应材料科学重组带隙半导体器件螺旋钻光电子学物理原子物理学化学硅纳米技术电阻率和电导率生物化学量子力学图层（电子）基因
网址	https://doi.org/10.1063/5.0147482
DOI	10.1063/5.0147482 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Preston T. Webster; Rigo A. Carrasco; Alexander T. Newell; Julie V. Logan; P. C. Grant; et al 出版日期：2023-03-28
求助人	小君君在 2023-05-11 16:04:33 发布自陕西，悬赏 10 积分
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