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 Co-existence of bipolar nonvolatile and volatile resistive switching based on WO3 nanowire for applications in neuromorphic computing and selective memory 基于WO3纳米线的双极非易失性和易失性电阻开关共存在神经形态计算和选择性记忆中的应用
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
非易失性存储器
突触
计算机科学
电压
电阻随机存取存储器
材料科学
人工智能
计算机硬件
电气工程
人工神经网络
神经科学
工程类
生物
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Ling Qin; Siqi Cheng; Bingyang Xie; Xianhua Wei; Wenjing Jie 出版日期：2022-08-29 |
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