标题 |
Enhancement of photoluminescence and hole mobility in 1- to 5-layer InSe due to the top valence-band inversion: strain effect
相关领域
凝聚态物理
激子
分子物理学
电子能带结构
声子
价(化学)
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备注 |
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网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Nanoscale 作者:Meng Wu; Jun-jie Shi; Min Zhang; Yi-min Ding; Hui Wang; et al 出版日期:2018-05-16 |
求助人 |
snutcc 在
2021-07-21 09:45:17 发布,悬赏 10 积分
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