标题 |
Study on a novel vertical enhancement-mode Ga 2 O 3 MOSFET with FINFET structure
相关领域
材料科学
光电子学
MOSFET
阈值电压
晶体管
电压
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DOI | |
其它 |
期刊:Chinese Physics B 作者:Liangliang Guo; Yuming Zhang; Suzhen Luan; Rundi Qiao; Renxu Jia 出版日期:2022 |
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研友_Z7XGz8 在
2022-01-31 13:34:21 发布,悬赏 10 积分
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