SiC and GaN from the viewpoint of vertical power devices

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标题	SiC and GaN from the viewpoint of vertical power devices 相关领域材料科学光电子学氮化镓功率半导体器件碳化硅宽禁带半导体功率（物理）击穿电压二极管电气工程外延功率MOSFET 晶体管结温电压硅
网址	https://doi.org/10.1109/DRC.2016.7548292
DOI	10.1109/DRC.2016.7548292 doi
其它	期刊：2016 74th Annual Device Research Conference (DRC) 作者：Jun Suda 出版日期：2016
求助人	南城小生在 2022-08-17 11:57:38 发布自江苏，悬赏 10 积分
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