Post-CMOS Compatible Aluminum Scandium Nitride/2D Channel Ferroelectric Field-Effect-Transistor Memory

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标题	Post-CMOS Compatible Aluminum Scandium Nitride/2D Channel Ferroelectric Field-Effect-Transistor Memory 相关领域材料科学铁电性光电子学晶体管场效应晶体管原子层沉积非易失性存储器电介质铁电RAM 纳米技术氮化物电气工程薄膜图层（电子）工程类电压
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c05051
DOI	10.1021/acs.nanolett.0c05051 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Xi-Wen Liu; Dixiong Wang; Kwan-Ho Kim; Keshava Katti; Jeffrey Zheng; et al 出版日期：2021-04-21
求助人	camille 在 2023-03-16 19:12:38 发布自浙江，悬赏 10 积分
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