Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor With Ferroelectric ZrOx/HfZrO Gate Insulator by 2 Step Sequential Ar/O2 Treatment

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标题	Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor With Ferroelectric ZrOx/HfZrO Gate Insulator by 2 Step Sequential Ar/O2 Treatment 相关领域退火（玻璃）无定形固体铁电性材料科学物理光电子学结晶学化学电介质热力学
网址	https://doi.org/10.1109/led.2022.3162325
DOI	10.1109/led.2022.3162325 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Mehedi Hasan; None Mohit; Mobaidul Islam; Ravindra Naik Bukke; Eisuke Tokumitsu; et al 出版日期：2022-01-01
求助人	Leung 在 2023-04-04 10:55:13 发布自广东，悬赏 10 积分
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