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标题
Boosting Thermoelectric Performance in Epitaxial GeTe Film/Si by Domain Engineering and Point Defect Control
通过畴工程和点缺陷控制提高外延GeTe薄膜/Si的热电性能
相关领域
材料科学 热电效应 晶界 方向错误 凝聚态物理 空位缺陷 外延 薄膜 热导率 热电材料 塞贝克系数 光电子学 纳米技术 复合材料 热力学 微观结构 物理 图层(电子)
网址
DOI
10.1021/acsami.3c01404 doi
其它 期刊:ACS Applied Materials & Interfaces
作者:Takafumi Ishibe; Yuki Komatsubara; Kodai Ishikawa; Sho Takigawa; Nobuyasu Naruse; et al
出版日期:2023-05-16
求助人
上上谦 在 2025-04-24 17:33:10 发布自河北,悬赏 10 积分
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