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标题
Interface Ion-Driven, Highly Stable Synaptic Memristor for Neuromorphic Applications
用于神经形态应用的界面离子驱动、高稳定性突触忆阻器
相关领域
神经形态工程学 记忆电阻器 计算机科学 长时程增强 人工神经网络 重置（财务） 突触 材料科学 电子工程 人工智能 光电子学 神经科学 化学 工程类 生物化学 受体 金融经济学 经济 生物
网址
https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c00288
DOI
10.1021/acsaelm.3c00288 doi
其它 期刊：ACS Applied Electronic Materials
作者：Umesh Gawai; Chien‐Hung Wu; Dayanand Kumar; Kow‐Ming Chang
出版日期：2023-04-05
求助人
echo 在 2025-04-08 10:03:16 发布自北京，悬赏 10 积分
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