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![]() 通过混合电荷转移和分子掺杂,具有创纪录的727 μ A/μ m离子和490 μ s/μ m Gmax的晶圆级CVD单层WSe2 P-FET
相关领域
兴奋剂
材料科学
物理
拓扑(电路)
电气工程
光电子学
工程类
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其它 |
期刊:2023 International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:Hao-Yu Lan; Rahul Tripathi; Xiangkai Liu; Joerg Appenzeller; Zhihong Chen 出版日期:2024-02-08 |
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