First-principles study of metal-semiconductor contacts and quantum transport simulations for 5.1-nm monolayer MoSi2N4 devices

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标题	First-principles study of metal-semiconductor contacts and quantum transport simulations for 5.1-nm monolayer MoSi2N4 devices 5.1 nm单层MoSi2N4器件金属-半导体接触的第一性原理研究和量子输运模拟相关领域纸卷金属单层半导体材料科学物理纳米技术光电子学工程类机械工程冶金
网址	https://doi.org/10.1103/physrevapplied.21.054062
DOI	10.1103/physrevapplied.21.054062 doi
其它	期刊：Physical review applied 作者：Zhanhai Li; Jianing Han; Shengguo Cao; Zhenhua Zhang; X.Q. Deng 出版日期：2024-05-30
求助人	ning 在 2025-04-02 14:03:49 发布自江苏，悬赏 10 积分
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