标题 |
Enhancement-mode β-Ga2O3 U-shaped gate trench vertical MOSFET realized by oxygen annealing
用氧退火实现增强型β-Ga2O3 U形栅沟垂直MOSFET
相关领域
退火(玻璃)
材料科学
MOSFET
浅沟隔离
光电子学
晶体管
场效应晶体管
X射线光电子能谱
阈值电压
半导体
宽禁带半导体
沟槽
电气工程
电压
纳米技术
核磁共振
图层(电子)
物理
复合材料
工程类
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