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 Improved Reliability and ESD Characteristics of Flip-Chip GaN-Based LEDs With Internal Inverse-Parallel Protection Diodes 内部反并联保护二极管改善GaN基倒装芯片发光二极管的可靠性和ESD特性
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期刊：IEEE electron device letters 作者：Shih–Chang Shei; Jinn-Kong Sheu; C.F. Shen 出版日期：2007-05-01 |
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