Bandgap Engineering and Oxygen Vacancy Defect Electroactivity Inhibition in Highly Crystalline N-Alloyed Ga2O3 Films through Plasma-Enhanced Technology

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标题	Bandgap Engineering and Oxygen Vacancy Defect Electroactivity Inhibition in Highly Crystalline N-Alloyed Ga2O3 Films through Plasma-Enhanced Technology 高晶态N合金Ga2O3薄膜的带隙工程和氧空位缺陷电活性的等离子体增强抑制相关领域材料科学带隙氮气溶解度氧气等离子体空位缺陷化学气相沉积氧化物光电子学薄膜分析化学（期刊）纳米技术化学工程化学物理化学结晶学冶金有机化学工程类物理量子力学色谱法
网址	https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.3c01368
DOI	10.1021/acs.jpclett.3c01368 doi
其它	期刊：Journal of Physical Chemistry Letters 作者：Huaile He; Chao Wu; Haizheng Hu; Shunli Wang; Fabi Zhang; et al 出版日期：2023-07-11
求助人	暴躁的小松鼠在 2024-03-05 17:06:11 发布自安徽，悬赏 10 积分
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