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 Reducing the β-Ga2O3 Epitaxy Temperature to 240 °C via Atomic Layer Plasma Processing 用原子层等离子体工艺将β-Ga2O3外延温度降低到240℃
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期刊：ACS applied electronic materials 作者：Saidjafarzoda Ilhom; Adnan Mohammad; John Grasso; Brian G. Willis; Ali Kemal Okyay; et al 出版日期：2022-12-27 |
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