Anomalous resistive switching in memristors based on two-dimensional palladium diselenide using heterophase grain boundaries

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标题	Anomalous resistive switching in memristors based on two-dimensional palladium diselenide using heterophase grain boundaries 基于异相晶界的二维二硒化钯忆阻器反常电阻开关相关领域材料科学重置（财务）记忆电阻器神经形态工程学横杆开关光电子学晶界电压电阻随机存取存储器电子工程复合材料电气工程计算机科学微观结构人工神经网络工程类机器学习金融经济学经济
网址	https://doi.org/10.1038/s41928-021-00573-1
DOI	10.1038/s41928-021-00573-1 doi
其它	期刊：Nature electronics 作者：Yesheng Li; Leyi Loh; Sifan Li; Li Chen; Bochang Li; et al 出版日期：2021-05-17
求助人	不卷心菜在 2025-02-23 16:42:32 发布自湖北，悬赏 10 积分
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