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 Electronic and magnetic properties of transition-metal-doped monolayer B2S2 within GGA + U framework GGA+U框架内过渡金属掺杂单层B2S2的电子和磁性
相关领域
单层
过渡金属
兴奋剂
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化学
化学物理
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催化作用
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期刊：RSC Advances 作者：Wei Chen; Qi Chen; Jianming Zhang; Lin Zhou; Wenxiao Tang; et al 出版日期：2024-01-01 |
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