标题 |
Charge Trapping Properties of Silicon Carbonitride Storage Layers for Nonvolatile Memories
用于非易失性存储器的碳氮化硅存储层的电荷俘获特性
相关领域
材料科学
光电子学
硅
电介质
俘获
带隙
氮化硅
非易失性存储器
氮化物
图层(电子)
纳米技术
生物
生态学
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其它 |
期刊:Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM) 作者:K. Kobayashi; Shinji Naito; Shin Tanaka; Yoshina Ito 出版日期:2014-08-05 |
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