Metal halide perovskites for resistive switching memory devices and artificial synapses

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标题	Metal halide perovskites for resistive switching memory devices and artificial synapses 用于电阻开关存储器件和人工突触的金属卤化物钙钛矿相关领域材料科学卤化物金属光电子学纳米技术电阻随机存取存储器记忆电阻器无机化学电压冶金电气工程工程类化学
网址	https://doi.org/10.1039/c9tc02233c
DOI	10.1039/c9tc02233c doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Bixin Li; Wei Hui; Xueqin Ran; Yingdong Xia; Fei Xia; et al 出版日期：2019-01-01
求助人	肉丸子在 2024-10-09 11:26:13 发布自山西，悬赏 10 积分
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