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 Design for an 81% Peak PDP and 0.33-cps/μm2 DCR Si-SPADs at 5-V Excess Bias Voltage Based on 180-nm BCD Technology 基于180nm BCD技术在5-V过偏压下设计81%峰值PDP和0.33 cps/μ m2 DCR Si-SPADs
相关领域
光电子学
电气工程
材料科学
电压
物理
原子物理学
工程类
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Dajing Bian; Yue Xu; Yuanhao Bi; Zheng Li; Qiuzheng Wang 出版日期：2025-01-29 |
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