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[高分]
 Dependence of the V/III Ratio on Indium Incorporation in InGaN Films Grown by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy 金属有机气相外延生长InGaN薄膜中V/III比对铟掺入的依赖性
相关领域
材料科学
金属有机气相外延
外延
铟
蓝宝石
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分析化学（期刊）
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期刊：Journal of Nanoscience and Nanotechnology 作者：V. Suresh Kumar; Shiyang Ji; Y. T. Zhang; Kanako Shojiki; Jung-Hun Choi; et al 出版日期：2019-10-22 |
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