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标题
Degradation mechanisms analysis for SiC power MOSFETs under repetitive power cycling stress
SiC功率MOSFET在重复功率循环应力下的退化机理分析
相关领域
材料科学 扫描电子显微镜 碳化硅 动力循环 焊接 压力（语言学） 光电子学 复合材料 降级（电信） 可靠性（半导体） 电气工程 功率（物理） 工程类 语言学 物理 哲学 量子力学
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac37dd
DOI
10.1088/1361-6463/ac37dd doi
其它 期刊：Journal of Physics D
作者：Yunliang Rao; Yuan Chen; Zhiyuan He; Chen Yiqiang; Chang Liu; et al
出版日期：2021-11-09
求助人
dawn 在 2025-01-08 10:48:33 发布自安徽，悬赏 10 积分
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