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Synaptic Properties and Short‐Term Memory Dynamics of TiO2/WOx Heterojunction Memristor for Reservoir Computing
用于储层计算的TiO2/WOx异质结忆阻器的突触特性和短时记忆动力学
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
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期刊:Advanced materials and technologies 作者:Hyojin So; Jungwoo Lee; Chandreswar Mahata; Sangwan Kim; Sungjun Kim 出版日期:2024-01-07 |
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