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Band-filling effect on the light emission spectra of InGaN/GaN quantum wells with highly doped barriers
高掺杂势垒InGaN/GaN量子阱发光光谱的能带填充效应
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期刊:Microelectronics Journal 作者:B. Arnaudov; Д. С. Доманевский; S. Evtimova; Ch. Ivanov; Roumen Kakanakov 出版日期:2008-09-19 |
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