High Current Gain MoS2 Bipolar Junction Transistor Based on Metal–Semiconductor Schottky Contacts

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标题	High Current Gain MoS2 Bipolar Junction Transistor Based on Metal–Semiconductor Schottky Contacts 基于金属-半导体肖特基接触的高电流增益MoS2双极结晶体管相关领域双极结晶体管光电子学材料科学晶体管肖特基势垒半导体肖特基二极管场效应晶体管异质发射极双极晶体管电接点功率半导体器件电气工程电压工程类二极管
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c04722
DOI	10.1021/acs.nanolett.4c04722 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Shichao Wang; Qingliang Liu; Wencheng Niu; Xuming Zou; Xingqiang Liu; et al 出版日期：2024-12-23
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