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 Selectively Nitrogen Doped ALD-IGZO TFTs with Extremely High Mobility and Reliability 具有极高迁移率和可靠性的选择性氮掺杂ALD-IGZO薄膜晶体管
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材料科学
原子层沉积
阈值电压
光电子学
薄膜晶体管
兴奋剂
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压力（语言学）
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Dong-Gyu Kim; Hyuk Choi; Yoon-Seo Kim; Donghyeon Lee; Hye‐Jin Oh; et al 出版日期：2023-06-23 |
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