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Characterization of low dielectric constant plasma enhanced chemical vapor deposition fluorinated silicon oxide films as intermetal dielectric materials
低介电常数等离子体增强化学蒸汽沉积氟化物氧化硅薄膜作为金属间介电材料的特征
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期刊:Journal of Vacuum Science & Technology A Vacuum Surfaces and Films 作者:Kwangtaek Kim; Dae‐Hyuk Kwon; G. Nallapati; G. S. Lee 出版日期:1998-05-01 |
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