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 High power Figure-of-Merit, 10.6-kV AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diode with single channel and sub-100-μm anode-to-cathode spacing 高功率品质因数、10.6 kV AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管，具有单通道和低于100 μ m的阳极到阴极间距
相关领域
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期刊：arXiv (Cornell University) 作者：Ru Xu; Peng Chen; Jing Zhou; Yimeng Li; Yuyin Li; et al 出版日期：2021-01-01 |
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