Effect of Bias on the Response of GaN Axial p–n Junction Single-Nanowire Photodetectors

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标题	Effect of Bias on the Response of GaN Axial p–n Junction Single-Nanowire Photodetectors 偏压对GaN轴向p-n结单纳米线光电探测器响应的影响相关领域光电子学材料科学纳米线光电探测器偏压 p-n结半导体电压物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b02040
DOI	10.1021/acs.nanolett.9b02040 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Sergi Cuesta; Maria Spies; Victor Boureau; Fabrice Donatini; Moïra Hocevar; et al 出版日期：2019-08-01
求助人	小雕在 2024-12-17 11:30:59 发布自江苏，悬赏 10 积分
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