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 Effect of Bias on the Response of GaN Axial p–n Junction Single-Nanowire Photodetectors 偏压对GaN轴向p-n结单纳米线光电探测器响应的影响
相关领域
光电子学
材料科学
纳米线
光电探测器
偏压
p-n结
半导体
电压
物理
量子力学
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期刊：Nano Letters 作者：Sergi Cuesta; Maria Spies; Victor Boureau; Fabrice Donatini; Moïra Hocevar; et al 出版日期：2019-08-01 |
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