Enhancement-Mode Ga2O3 FET With High Mobility Using p-Type SnO Heterojunction

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标题	Enhancement-Mode Ga2O3 FET With High Mobility Using p-Type SnO Heterojunction 采用p型SnO异质结的高迁移率增强模式Ga2O3场效应管相关领域立体化学化学
网址	https://doi.org/10.1109/led.2021.3132192
DOI	10.1109/led.2021.3132192 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Xunxun Wang; Shiqi Yan; Wenxiang Mu; Zhitai Jia; Jiawei Zhang; et al 出版日期：2022-01-01
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