GeSe/MoTe2 vdW heterostructure for UV–VIS–NIR photodetector with fast response

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标题	GeSe/MoTe2 vdW heterostructure for UV–VIS–NIR photodetector with fast response 快速响应紫外——可见——近红外光电探测器用GeS/MoTe2 vdW异质结构相关领域响应度光电探测器材料科学光电子学异质结光探测紫外线半导体比探测率宽带吸收（声学）带隙电子迁移率光学物理复合材料
网址	https://doi.org/10.1063/5.0090426
DOI	10.1063/5.0090426 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Pïng Chen; Lejing Pi; Zexin Li; Haoyun Wang; Xiang Xu; et al 出版日期：2022-07-11
求助人	luo 在 2024-06-20 19:56:02 发布自山东，悬赏 10 积分
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