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 Effect of Sub-Surface Damage Layer Removal by Sublimation Etching of 4H-SiC Bulk Wafers on PL Imaging of Crystal Defect Visibility 4H-SiC块体晶片升华刻蚀去除亚表面损伤层对晶体缺陷可见性PL成像的影响
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期刊：Solid State Phenomena 作者：Daichi Dojima; M. Maki; Daichi Dansako; Kohei Toda; Tadaaki Kaneko 出版日期：2023-05-30 |
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