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 Structural and electrical characteristics of ALD-HfO2/n-Si gate stack with SiON interfacial layer for advanced CMOS technology 用于先进CMOS工艺的具有SiON界面层的ALD-HfO2/n-Si栅极堆叠的结构和电学特性
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期刊：Solid State Sciences 作者：Richa Gupta; Renu Rajput; Rakesh Prasher; Rakesh Vaid 出版日期：2016-07-05 |
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