Evidence of long-wave-infrared excited state transition at high temperature (200 K) in 35-layer In0.50Ga0.50As/GaAs quantum dot infrared photodetector

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标题	Evidence of long-wave-infrared excited state transition at high temperature (200 K) in 35-layer In0.50Ga0.50As/GaAs quantum dot infrared photodetector 35层In0.50Ga 0.50 As/GaAs量子点红外探测器高温（200 K）长波红外激发态跃迁的证据相关领域响应度红外线的激发态光电探测器量子点光电子学材料科学电子物理原子物理学光学量子力学
网址	http://dx.doi.org/10.1116/1.4801791
DOI	10.1116/1.4801791 doi
求助人	dfsf 在 2024-09-29 15:25:46 发布自山西，悬赏 10 积分
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