A Unified Analytical Model for Bulk and Surface Mobility in Si n- and p-Channel MOSFET's

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标题	A Unified Analytical Model for Bulk and Surface Mobility in Si n- and p-Channel MOSFET's 硅n沟道和p沟道MOSFET体迁移率和表面迁移率的统一分析模型相关领域 MOSFET 机动性模型材料科学曲面（拓扑）光电子学电子迁移率频道（广播）晶体管计算机科学电压电气工程工程物理电子工程物理工程类数学计算机网络几何学
网址	http://ieeexplore.ieee.org/iel5/10061/32274/01505484.pdf
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	期刊：European Solid-State Device Research Conference 作者：Susanna Reggiani; M. Valdinoci; L. Colalongo; G. Baccarani 出版日期：1999-01-01
求助人	白政在 2025-02-25 12:13:26 发布自浙江，悬赏 10 积分
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