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The defect is perfect: MoS2/TiO2 modified with unsaturated Mo vacancies to construct Z-scheme heterojunction & improve mobility of e-
缺陷是:用不饱和Mo空位修饰MoS2/TiO2构建Z型异质结,提高e-的迁移率
相关领域
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材料科学
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期刊:Journal of Cleaner Production 作者:Ruifeng Zhou; Shuyi Yang; Tao E; Lin Liu; Jianhua Qian 出版日期:2022-02-01 |
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