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标题
Bit-Cost-Scalable 3D DRAM Architecture and Unit Cell First Demonstrated with Integrated Gate-Around and Channel-Around IGZO FETs
位成本可扩展的3D DRAM架构和晶胞首次采用集成栅极环绕和沟道环绕IGZO FET进行演示
相关领域
德拉姆 可扩展性 位（键） 频道（广播） 逻辑门 计算机科学 光电子学 随机存取存储器 计算机硬件 CMOS芯片 电子工程 电气工程 材料科学 计算机体系结构 工程类 计算机网络 数据库
网址
https://doi.org/10.1109/vlsitechnologyandcir46783.2024.10631...
DOI
10.1109/vlsitechnologyandcir46783.2024.10631386 doi
其它 期刊：2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits)
作者：Feng-Min Lee; Po-Hao Tseng; Yu‐Yu Lin; Yu‐Hsuan Lin; Wei-Lun Weng; et al
出版日期：2024-06-16
求助人
马力 在 2024-12-17 17:42:39 发布自广东，悬赏 10 积分
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