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Advancing High-Performance Memristors Enabled by Position-Controlled Grain Boundaries in Controllably Grown Star-Shaped MoS2
可控生长星形MoS2中位置控制晶界实现高性能忆阻器
相关领域
记忆电阻器
晶界
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期刊:Nano Letters 作者:Shangui Lan; Fangyuan Zheng; Chang‐Chun Ding; Yukun Hong; Baoyu Wang; et al 出版日期:2024-11-22 |
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