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 Defect Assisted Carrier Multiplication in Amorphous Silicon 非晶硅中缺陷辅助载流子倍增
相关领域
材料科学
多激子产生
电子迁移率
光电子学
载流子寿命
光电流
非晶硅
乘法（音乐）
硅
带隙
物理
晶体硅
声学
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期刊：IEEE Journal of Quantum Electronics 作者：Mohammad Abu Raihan Miah; Iftikhar Ahmad Niaz; Yu‐Hwa Lo 出版日期：2020-04-16 |
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