Complementary optoelectronic interaction of n+-Si/p-Ge heterojunctions fabricated via transfer printing toward broadband photodetectors

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标题	Complementary optoelectronic interaction of n+-Si/p-Ge heterojunctions fabricated via transfer printing toward broadband photodetectors 用于宽带光电探测器的转移印刷n+-Si/p-Ge异质结的互补光电相互作用相关领域异质结光电探测器光电子学制作材料科学堆积宽带半导体光学化学物理医学病理有机化学替代医学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0205679
DOI	10.1063/5.0205679 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：P. S. D. Lin; Qinglei Guo 出版日期：2024-04-15
求助人	NMSL 在 2025-02-10 09:58:50 发布自福建，悬赏 10 积分
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