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 An AlGaN-GaN HEMT with p-GaN Extended Gate for Improvements on Current Dispersion and Breakdown Characteristics 具有p-GaN扩展栅极的AlGaN-GaN HEMT改善电流色散和击穿特性
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
光电子学
击穿电压
薄脆饼
阈值电压
氮化镓
异质结
饱和电流
电场
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：S. Krishna Sai; Yue‐Ming Hsin 出版日期：2024-01-01 |
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