Nonvolatile Memory Device Based on the Ferroelectric Metal/Ferroelectric Semiconductor Junction

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标题	Nonvolatile Memory Device Based on the Ferroelectric Metal/Ferroelectric Semiconductor Junction 基于铁电金属/铁电半导体结的非易失性存储器件相关领域铁电性材料科学非易失性存储器半导体光电子学电极铁电电容器隧道枢纽范德瓦尔斯力纳米技术量子隧道化学电介质物理化学有机化学分子
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c05887
DOI	10.1021/acs.nanolett.4c05887 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Yan Li; Yulin Yang; Hanzhang Zhao; Hongxu Duan; Chao Yang; et al 出版日期：2025-01-15
求助人	内向问寒在 2025-02-24 11:47:31 发布自陕西，悬赏 10 积分
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