Thermal stress relaxation phenomenon through forming the interstitial region in CZ silicon pulled with rapid and slow cooling heat shields

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标题	Thermal stress relaxation phenomenon through forming the interstitial region in CZ silicon pulled with rapid and slow cooling heat shields 快、慢冷隔热罩拉伸CZ硅中形成间隙区的热应力松弛现象相关领域硅 Crystal（编程语言）材料科学晶体缺陷亚稳态结晶学凝聚态物理压力（语言学）应力松弛化学复合材料冶金物理蠕动哲学有机化学程序设计语言语言学计算机科学
网址	https://doi.org/10.1016/j.pcrysgrow.2022.100579
DOI	10.1016/j.pcrysgrow.2022.100579 doi
其它	期刊：Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 作者：Takao Abé 出版日期：2022-07-11
求助人	强强强在 2025-02-19 08:47:01 发布自云南，悬赏 10 积分
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