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 Toward High Bias‐Stress Stability P‐Type GaSb Nanowire Field‐Effect‐Transistor for Gate‐Controlled Near‐Infrared Photodetection and Photocommunication 用于门控近红外光检测和光通信的高偏压应力稳定性P型GaSb纳米线场效应晶体管
相关领域
光探测
材料科学
响应度
光电子学
栅极电介质
纳米线
电介质
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晶体管
压力（语言学）
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半导体
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Zixu Sa; Fengjing Liu; Xinming Zhuang; Yanxue Yin; Zengtao Lv; et al 出版日期：2023-05-25 |
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